诗和远方

三星将有意减缓明年内存芯片产出

芯片

国外媒体报道,知情人士表示,韩国三星电子计划明年限制内存芯片产量,从而在预计内存芯片需求放缓之际保持供需平衡。

此举将有助于维持或推高半导体价格。三星目前预计动态随机存取存储器的位元成长率不到20%,而NAND闪存的位元成长率约为30%。三星今年早些时候表示,预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。

位元成长率是衡量内存芯片市场需求的一个关键晴雨表。较弱的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资,同时限制供应,推高价格。

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